응용 사례 | 정밀 침투 검출: GEC31I 단파장 적외선 카메라로 반도체 수율 향상
반도체 제조가 고집적화로 진화하는 추세 속에서 이미징 기술에 대한 요구가 더욱 엄격해지고 있다. 실리콘 재료가 가시광선을 극도로 흡수하기 때문에 가시광선 이미징으로는 웨이퍼 내부의 스크래치, 파손 등 '숨겨진 문제'를 탐지하기 어렵다.
기계 시각 검사 기술의 지속적인 발전에 따라, 단파장 적외선 이미징 기술은 실리콘 재료가 1100nm 이상의 적외선 파장대에서 갖는 투과 특성을 활용하여 실리콘 웨이퍼 내부의 결함을 투시 검출함으로써 검사 효율과 품질을 향상시키고 제조 비용을 절감합니다.
MindVision이 자체 개발한 MV-GEC31I는 InGaAs 고감도 검출기를 탑재하고 반도체 냉각, 고프레임률 및 편리한 통합 특성을 겸비하여 저조도 과학 연구용 단파장 적외선 이미징 및 현미경 이미징을 위해 특별히 설계되었으며, 반도체 분야의 지능형 품질 검사 업그레이드를 지원합니다.
SWIR 고감도 탐지
이미징 장벽을 깨고 가시광선 한계를 돌파합니다. 카메라에 탑재된 InGaAs 검출기는 0.9-1.7μm의 SWIR(단파장 적외선) 광에 대해 극히 높은 응답성을 보입니다. 높은 양자 효율(≥70%@1.55μm)과 높은 감도(≥0.8A/W)를 바탕으로 단파장 적외선 대역에서 탁월한 광전 변환 효율을 발휘하여, 웨이퍼 내부의 미세 균열, 미세 스크래치, 금속 회로 산화 등 육안으로 식별 불가능한 결함을 효과적으로 탐지합니다.
극한 환경에서의 안정적인 영상 촬영
반도체 냉각 기술로 환경 온도 차 20도까지 냉각 가능. 열 잡음을 대폭 감소시켜 고온으로 인한 이미지 노이즈가 반도체의 미세 결함을 가리는 현상을 방지합니다.
블랙 레벨 보정, 우수한 화질 균일성. 전체 시야 내에서 측정 결과의 일관성과 신뢰성을 보장합니다.
고효율 생산라인 충족
640×512 풀 해상도에서 354fps의 검출 속도를 달성하여 반도체 생산 라인의 고속 전송 주기에 대응 가능합니다. ROI 설정을 통해 핵심 영역 이미지를 유연하게 추출함으로써 프레임 속도를 더욱 향상시키고 데이터 전송량을 줄여 고정밀도와 고속 처리라는 이중 요구사항을 충족시킵니다.
응용 사례
단파장 적외선(SWIR) 이미징은 높은 대비도를 통해 대상의 미세한 특징을 선명하게 드러내어 반도체 웨이퍼 내부 결함 검출 및 균열 탐지 등에 효율적인 솔루션을 제공합니다.
제품 사양
MV-GEC31I | |
제품명 | 적외선 카메라 |
센서 유형 | InGaAs |
픽셀 크기 | 15umx15um |
노출 방식 | 프레임 노출 |
유효 화소 | 30만 |
감도 | ≥0.8A/W |
해상도@프레임 속도 | 640x512 MAX@354fps |
방열 방식 | TEC 반도체 냉각, 환경 온도 차 20도 냉각 가능 |
응용 산업
채움 검사
플라스틱 분류 검사
태양광 검출
식품 검사
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