onsubmit="yaCounter100825670.reachGoal('order', function () { });"
Тенденция к более высокой интеграции в производстве полупроводников предъявляет все более жесткие требования к технологии визуализации. Из-за высокой поглощающей способности кремния в отношении видимого света, визуализация в видимом свете затрудняет обнаружение «скрытых дефектов», таких как царапины и трещины внутри пластин.

С непрерывным развитием технологий машинного зрения, технология коротковолновой инфракрасной визуализации использует характеристики пропускания кремниевого материала в диапазоне инфракрасных волн выше 1100 нм для обнаружения дефектов в кремниевых пластинах. Это повышает эффективность и качество контроля, одновременно снижая производственные затраты.

Независимо разработанная компанией MindVision камера MV-GEC31I, оснащенная высокочувствительным детектором InGaAs, сочетает в себе полупроводниковое охлаждение, высокую частоту кадров и удобную интеграцию. Специально разработанная для научной коротковолновой инфракрасной съемки и микроскопической съемки при слабом освещении, она способствует прогрессу в области интеллектуального контроля качества в полупроводниковой отрасли.
Высокочувствительное обнаружение в ближнем инфракрасном диапазоне
Преодолевая барьеры визуализации, выходя за пределы видимого света. Детектор InGaAs камеры демонстрирует исключительную чувствительность к коротковолновому инфракрасному излучению (SWIR) в диапазоне 0,9–1,7 мкм. Его высокая квантовая эффективность (≥ 70%@1.55μm) и чувствительность (≥ 0,8 A/W) обеспечивают выдающуюся эффективность фотоэлектрического преобразования в коротковолновом инфракрасном спектре. Это позволяет эффективно обнаруживать невидимые невооруженным глазом дефекты пластин, включая внутренние микротрещины, микроскопические царапины и окисление металлических схем.

Стабильная визуализация в экстремальных условиях
Охлаждение полупроводников обеспечивает разницу температур окружающей среды в 20 градусов. Это значительно снижает тепловой шум, предотвращая затухание изображения из-за высоких температур, которые маскируют мельчайшие дефекты полупроводников.

Коррекция уровня черного обеспечивает превосходную однородность изображения. Это гарантирует стабильные и надежные результаты измерений по всему полю зрения.
Удовлетворение требований высокоэффективных производственных линий
При полном разрешении 640×512 пикселей он достигает скорости обнаружения 354 кадров в секунду, что соответствует высокоскоростным циклам передачи данных на линиях по производству полупроводников. Благодаря настройке областей интереса (ROI) для гибкой съемки изображений ключевых областей можно еще больше повысить частоту кадров и одновременно уменьшить объем передаваемых данных, что позволяет удовлетворить двойные требования высокой точности и высокой скорости.
Пример применения
Коротковолновая инфракрасная (SWIR) визуализация обладает преимуществом высокой контрастности, что позволяет выделять мельчайшие детали на объектах. Это обеспечивает эффективное решение для обнаружения внутренних дефектов в полупроводниковых пластинах и выявления трещин.

Технические характеристики продукта
MV-GEC31I | |
Название продукта | Инфракрасная камера |
Тип датчика | InGaAs |
Размер пикселя | 15umx15um |
Метод воздействия | Экспозиция кадра |
Эффективные пиксели | 300 000 |
Чувствительность | ≥0.8A/W |
Разрешение @ Частота кадров | 640x512 MAX@354fps |
Метод рассеивания тепла | Полупроводниковое охлаждение TEC, способное обеспечить разницу температур в охлаждаемой среде до 20 градусов. |
Области применения
Проверка заполнения
Испытания по классификации пластмасс
Испытания фотоэлектрических систем
Проверка продуктов питания